据三位知情人士透露，韩国芯片巨头SK海力士旗下子公司Solidigm正考虑在美国新建一座NAND闪存芯片工厂，纽约州北部地区成为热门选址。
考虑赴美建设NAND新厂？
SK海力士目前正面临特朗普政府日益增大的压力，要求其扩大美国本土产能。随着人工智能数据中心的巨额投资消耗全球存储芯片供给，美国政府正推动半导体产业回流本土。
消息人士称，该拟建项目将独立于SK海力士与英特尔正在洽谈的另一项扩产计划——后者拟在英特尔俄亥俄州工厂生产存储芯片。
对于媒体报道的这一消息，SK海力士表示：“子公司Solidigm正在评估多种方案以提升业务竞争力，但目前尚未敲定任何具体计划。”
公开资料显示，Solidigm的前身是英特尔的NAND与SSD业务。2021年12月，SK海力士收购英特尔的NAND和SSD业务后，该公司作为SK海力士的美国子公司成立。
目前，Solidigm只在中国大连拥有生产基地，在美国仅保留总部和研发中心。
在美国建厂，将降低Solidigm对其大连NAND生产基地的依赖，同时帮助企业规避美国可能加征的关税，以及美国针对对华出口芯片制造设备出台的限制措施。
不过一位消息人士提醒，Solidigm的美国投资尚未达成任何协议，项目核心细节仍在磋商。
需考虑美韩双方政治压力
对于SK海力士来说，在美国修建NAND工厂，可能需要综合考虑多方政治因素。
众所周知，在美国建厂成本将高于韩国本土，加之美韩双方仍在就贸易与投资议题持续谈判，因此SK海力士或将采取谨慎态度。
一方面，美国商务部长霍华德·卢特尼克曾威胁，若韩国企业不承诺扩大在美国的产能，美方将对其最高加征100%关税。
而另一方面，韩国政府也在敦促SK海力士及其竞争对手三星，加快推进韩国西南部新建半导体产业集群的规划，该集群有望吸引数千亿美元规模的投资。
据报道，若SK海力士计划在英特尔工厂生产HBM等先进存储芯片乃至普通DRAM芯片，韩国政府方面潜在的反对声音或将阻碍其计划落地。
总体而言，SK海力士等韩国芯片厂商正夹在美国和韩国两国政府之间，左右为难。
不过，据一名消息人士表示，SK海力士通过其美国子公司在美生产NAND芯片面临的政治阻力可能更小，因为该技术的战略敏感度低于高带宽内存（HBM）等先进DRAM产品。
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